半導體應用材料

氮化矽是由矽元素和氮元素構成的化合物。在氮氣氣氛下，將單質矽的粉末加熱到1300~1400C之間，矽粉末樣品的重量隨著矽單質與氮氣的反應遞增．在沒有鐵催化劑的情況下，約7個小時後矽粉樣品的重量不再增加，此時反應完成生成 Si3N4.

在很寬的溫度範圍內氮化矽都是一種具有一定的熱導率、低熱膨脹係數、彈性模量較高的高強度硬陶瓷。不同於一般的陶瓷，它的斷裂韌性高。這些性質結合起來使它具有優秀的耐熱衝擊性能，能夠在高溫下承受高結構載荷並具備優異的耐磨損性能。常用於需要高耐用性和高溫環境下的用途，諸如氣輪機、汽車引擎零件、軸承和金屬切割加工零件。美國國家航空暨太空總署的太空梭就是用氮化矽製造的主引擎軸承。氮化矽薄膜是矽基半導體常用的絕緣層，由氮化矽製作的懸臂是原子力顯微鏡的傳感部件。